技術情報
【ウェハ】目標膜厚3μmに対して膜厚分布±3-5％以下を実現。硫酸銅めっき実験結果例
多くの大学や研究機関で導入いただいている当社のシリコンウェハ用めっき装置ですが、ここでは実際に装置を使用し行った実験のデータをご紹介します。
今回は8inch用の標準ウェハ用めっき装置を使用し、目標膜厚は3μmで実験を行いました。
〇使用装置
〇めっき条件
| めっき液 | 硫酸銅めっき液（光沢浴；市販品） |
| 使用サンプル | 8inch シリコンウェハテストピース |
| 電流密度 | 1A/dm2 |
| 目標膜厚 | 3 μ m |
| 陽極 | 含燐銅 |
| 液温 | R.T. (25ºC ± 1ºC) |
| 撹拌 | 空気撹拌＋パドル撹拌 |
〇サンプル仕様
| サンプルサイズ | 8inch |
| パターン及びウェハ仕様 | 八角・四角配線（渦巻） |
| ライン幅（L/S） | 5〜100 μm |
| 丸型・四角バンプ | 10〜500 μm |
| ウェハ厚さ | 725 μm |
| 銅スパッタ | 300nm |
| レジスト厚 | 5 μm |
〇サンプル外観・めっき後の状態
左下：パターン中央部の被膜状態(3D) 右下： パターン中央部の被膜状態拡大図
〇サンプルポイント
めっき後、以下の9点のめっき膜厚を測定しました。
〇めっき膜厚測定結果
各サンプルポイントのめっき膜厚の数値は以下の通りです。
めっきターゲット3μmに対して膜厚分布±3-5％以下を実現しました。
| □40㎛ | □100㎛ | |
| a | 3.012 | 3.006 |
| b | 3.006 | 2.934 |
| c | 3.036 | 2.857 |
| d | 2.959 | 2.871 |
| e | 3.189 | 3.026 |
| f | 3.191 | 3.023 |
| g | 2.961 | 2.975 |
| h | 2.929 | 2.867 |
| i | 3.072 | 2.856 |
| Ave | 3.039 | 2.935 |
| Max | 3.191 | 3.026 |
| Min | 2.929 | 2.856 |
| Ran | 0.262 | 0.170 |
製品カテゴリ
-
ハルセルハルセル試験用水槽、極板、付属部品等 -
応力測定器スパイラル応力計、ひずみゲージ式精密応力計
-
均一電着性試験器ハーリングセル、ベントカソード
-
めっき液分析器滴定分析器、サルファメーター、トリクロムメーター
-
ウェハめっき装置ウェハ水槽、治具、両面めっき用
-
バレルめっき装置水平バレル、傾斜バレル、ダミーボール
-
小型めっき装置ビーカーサイズから20Lまでのめっき装置セット
-
電源アナログタイプやPC制御タイプ
-
ろ過器ミニミニフィルター、マルチフィルター、エアーポンプ
-
揺動装置縦型揺動装置、3D揺動装置、カソードロッカー
-
水槽様々なサイズ・材質があります
-
ヒーター・温度調節器小型ヒーター、CE対応温度調節器
-
止具・治具水槽止具、引掛治具、クリップ
ブスバー -
極板・アノードバック陽極板、陰極板、各種試験片、アノードバック、隔膜ホルダー等
-
筆めっき筆具、筆めっき液、送液ポンプ
