技術情報

【ウェハ】目標膜厚3μmに対して膜厚分布±3-5%以下を実現。硫酸銅めっき実験結果例

多くの大学や研究機関で導入いただいている当社のシリコンウェハ用めっき装置ですが、ここでは実際に装置を使用し行った実験のデータをご紹介します。

今回は8inch用の標準ウェハ用めっき装置を使用し、目標膜厚は3μmで実験を行いました。

使用装置

A-52 シリコンウェハ用めっき実験装置
ウェハ用精密電源YPP15100

〇めっき条件

めっき液硫酸銅めっき液(光沢浴;市販品)
使用サンプル8inch シリコンウェハテストピース
電流密度1A/dm2
目標膜厚 3 μ m
陽極含燐銅
液温R.T. (25ºC ± 1ºC)
撹拌空気撹拌+パドル撹拌

〇サンプル仕様

サンプルサイズ8inch
パターン及びウェハ仕様八角・四角配線(渦巻)
ライン幅(L/S)5〜100 μm
丸型・四角バンプ10〜500 μm
ウェハ厚さ725 μm
銅スパッタ 300nm
レジスト厚5 μm

〇サンプル外観・めっき後の状態

左上:ウェハ外観 右上:パターン拡大図 
左下:パターン中央部の被膜状態(3D) 右下: パターン中央部の被膜状態拡大図

〇サンプルポイント

めっき後、以下の9点のめっき膜厚を測定しました。

〇めっき膜厚測定結果

各サンプルポイントのめっき膜厚の数値は以下の通りです。
めっきターゲット3μmに対して膜厚分布±3-5%以下を実現しました。

□40㎛ □100㎛
a3.012 3.006
b3.0062.934
c3.0362.857
d2.9592.871
e3.1893.026
f3.1913.023
g2.9612.975
h2.9292.867
i3.0722.856
Ave3.0392.935
Max3.1913.026
Min2.9292.856
Ran0.2620.170
めっき膜厚(μm)

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